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Identification des leptons tau et recherche du boson de Higgs dans l'état final mu+tau dans l'expérience D0 auprès du Tevatron
La notion de symétrie de jauge est au coeur de notre compréhension de l'interaction électrofaible et permet d'expliquer l'ensemble des observations expérimentales actuelles. Pourtant, l'incompatibilité intrinsèque entre l'invariance de jauge et la masse des particules nécessite d'introduire une nouvelle particule, le boson de Higgs, toujours non observée à ce jour. Cette thèse présente l'analyse de 7.3/fb de collisions protons-antiprotons à sqrt{s} = 1.96 TeV enregistrées par le détecteur D0 au Tevatron en vue de la recherche du boson de Higgs dans l'état final mu+tau. Cette analyse vient compléter les canaux principaux dimuons, électron-muon et diélectrons en exploitant é...
Sur la route du Boson
Ce carnet décrit la formidable aventure technique et humaine qui a abouti à la découverte du boson de Higgs. Cette aventure, racontée par quatre physiciens qui travaillent depuis des années au sein de cette fourmilière de dix mille techniciens et chercheurs du monde entier basée au CERN de Genève, révèle une vaste coopération humaine et un voyage fantastique dans la pensée. L’ouvrage s’inscrit dans la volonté de vulgariser cette découverte qui n’est qu’une étape du programme scientifique de l’accélérateur de particules situé à cent mètres sous terre entre la Suisse et la France. Particularité : une mascotte présente presque sur toutes les doubles-pages interpelle et accompagne le lecteur dans sa lecture.
Silicon Carbide
Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high temperatures and under high voltages pushes SiC on the verge of becoming the material of choice for high power electronics and optoelectronics. What is more important, SiC is emerging to become a template for graphene fabrication, and a material for the next generation of sub-32nm semiconductor devices. It is thus increasingly clear that SiC electronic systems will dominate the new energy and transport...
Rakhtkane bozorg
None
Silicon Carbide and Related Materials 2005
Volume is indexed by Thomson Reuters CPCI-S (WoS). Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) and Diamond are examples of wide-bandgap semiconductors having chemical, electrical and optical properties which make them very attractive for the fabrication of high-power and high-frequency electronic devices, as well as light-emitters and sensors which have to operate under harsh conditions.
